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美国伦斯勒理工学院T. Paul Chow教授讲座通知

作者: sunxiangzhe 发布时间:2015-05-14

讲座名称:美国伦斯勒理工学院T. Paul Chow教授讲座通知

讲座时 2015-05-16

讲座地点: 科学馆207

讲座人 T. Paul Chow

讲座内容
报告一:Recent advances in SiC and GaN high power devices & ICs
时间:2015年5月16日 9:00-11:00
地点:科学馆207
报告人:T. Paul Chow (周达成)
报告二:Interface Properties for SiC and GaN MOS Devices
时间:2015年5月16日 15:00-17:00
地点:科学馆207
报告人:T. Paul Chow (周达成)

讲座人介绍
报告人介绍:
       T. Paul Chow (周达成)是美国伦斯勒理工学院(Rensselaer Polytechnic Institute,RPI)终身教授,IEEE Fellow,美国NSF功率电力电子系统中心Semiconductor Power Devices & ICs研究主任。1975年以最优成绩获得美国奥古斯塔纳学院物理学学士学位,1977年获得哥伦比亚大学(纽约)理学硕士,1982年获得伦斯勒理工学院(RPI)的电子工程博士学位。1977年至1989年任职于美国通用电气公司(GE)研究实验室(现在的美国通用电气全球研究中心)。1989年起在伦斯勒理工学院(RPI)Department of Electrical, Computer and Systems Engineering任教授。
       从1982年起,周教授致力于高压功率半导体器件和集成电路的研究,在功率器件(如平面或沟槽型IGBT和MCT)和高压控制集成电路研究方面都有创新性成果。目前研究工作主要涉及宽禁带半导体(SiC、GaN)的智能功率器件和集成电路,包括新器件概念,集成工艺和电路模型。研究成果包括多个基于Si、SiC和GaN的新型功率器件结构,以及一系列用于功率集成电路仿真的器件模型(Si基IGBT和低压侧沟型MOSFET、SiC二极管、BJT、JFET和MOSFET等)。
       周教授是半导体功率器件和智能功率电路领域的先驱者,主持多项DAPRA,Army Collaborative Tech Alliance,ONR,MURI等研究项目。已发表100多篇高影响力的学术论文,在国际学术会议做过200多次邀请报告,有7个英文书籍章节和超过15项专利。在IEDM、ISPSD、APEC等顶级学术会议讲授功率半导体器件和功率集成电路的短期课程,也为工业界讲授功率半导体器件和功率集成电路的远程课程。

讲座视频 暂无视频

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