美国伦斯勒理工学院T. Paul Chow教授讲座通知

讲座名称：美国伦斯勒理工学院T. Paul Chow教授讲座通知

讲座时间： 2015-05-16

讲座地点： 科学馆207

讲座人： T. Paul Chow

讲座内容
报告一：Recent advances in SiC and GaN high power devices & ICs
时间：2015年5月16日 9:00-11:00
地点：科学馆207
报告人：T. Paul Chow （周达成）
报告二：Interface Properties for SiC and GaN MOS Devices
时间：2015年5月16日 15:00-17:00
地点：科学馆207
报告人：T. Paul Chow （周达成）

讲座人介绍
报告人介绍：
       T. Paul Chow （周达成）是美国伦斯勒理工学院（Rensselaer Polytechnic Institute，RPI）终身教授，IEEE Fellow，美国NSF功率电力电子系统中心Semiconductor Power Devices & ICs研究主任。1975年以最优成绩获得美国奥古斯塔纳学院物理学学士学位，1977年获得哥伦比亚大学（纽约）理学硕士，1982年获得伦斯勒理工学院（RPI）的电子工程博士学位。1977年至1989年任职于美国通用电气公司（GE）研究实验室（现在的美国通用电气全球研究中心）。1989年起在伦斯勒理工学院（RPI）Department of Electrical, Computer and Systems Engineering任教授。
       从1982年起，周教授致力于高压功率半导体器件和集成电路的研究，在功率器件（如平面或沟槽型IGBT和MCT）和高压控制集成电路研究方面都有创新性成果。目前研究工作主要涉及宽禁带半导体（SiC、GaN）的智能功率器件和集成电路，包括新器件概念，集成工艺和电路模型。研究成果包括多个基于Si、SiC和GaN的新型功率器件结构，以及一系列用于功率集成电路仿真的器件模型（Si基IGBT和低压侧沟型MOSFET、SiC二极管、BJT、JFET和MOSFET等）。
       周教授是半导体功率器件和智能功率电路领域的先驱者，主持多项DAPRA，Army Collaborative Tech Alliance，ONR，MURI等研究项目。已发表100多篇高影响力的学术论文，在国际学术会议做过200多次邀请报告，有7个英文书籍章节和超过15项专利。在IEDM、ISPSD、APEC等顶级学术会议讲授功率半导体器件和功率集成电路的短期课程，也为工业界讲授功率半导体器件和功率集成电路的远程课程。

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